Resistividad del laminado Gpo3

Se estudiaron el método y las características de la inyección de vanadio de alta energía de 2100kev en la capa semiaislante del laminado gpo3. La distribución de concentración de la capa inyectada fue simulada por el software de análisis de Monte Carlo. Usando una estructura de mesa para gpo3, se encuentra que la resistividad de la capa implantada de vanadio está estrechamente relacionada con el tipo de conductividad inicial de la capa de gpo3. A temperatura ambiente, la resistividad de 4H SiC tipo p y tipo n implantado con vanadio es 1,6, respectivamente × 10^10 y 7,6 × 10^6 Ω· cm Se mide la resistividad a diferentes temperaturas de recocido. Se encuentra que el recocido a alta temperatura conduce a la activación por sustitución de vanadio y aumenta la resistividad. Debido a la influencia de la difusión del vanadio, la resistividad disminuye ligeramente después del recocido a 1700 grados. Se midió la resistividad de la capa implantada de vanadio SiC de tipo n a 20 ~ 140 grados. La energía de activación del nivel del aceptor de vanadio en 4H SiC se calculó en 0,78 ev.